MUN5232DW1T1G, Транзистор: NPN x2, биполярный, BRT, 50В, 0,1А, 385мВт, SOT363
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8017537402
- Артикул
- MUN5232DW1T1G
- Бренд
- ON Semiconductor***
- Вес, г
- 0.04
- Корпус
- SC-88/SC70-6/SOT-363
- Transistor Type
- 2 NPN-Pre-Biased
- Структура
- npn
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Описание Транзистор биполярный MUN5232DW1T1G от производителя ONSEMI – это высококачественный компонент для монтажа на поверхность (SMD). С током коллектора в 0,1 А и напряжением коллектор-эмиттер до 50 В, данный транзистор обеспечивает надежную работу в различных электронных устройствах. Максимальная мощность транзистора составляет 0,187 Вт, что делает его подходящим для устройств с ограниченными требованиями к мощности. Тип NPN и компактный корпус SOT363 позволяют использовать его в микросхемах с плотной укладкой компонентов. Надежность и качество от ONSEMI гарантированы. Артикул MUN5232DW1T1G легко идентифицировать и заказать в нашем интернет-магазине. Характеристики Категория Транзистор Тип биполярный Вид NPN Монтаж SMD Ток коллектора, А 0.1 Напряжение коллектор-эмиттер, В 50 Мощность, Вт 0.187 Корпус SOT363
Технические параметры
| Вес, г | 0.04 |
| Корпус | SC-88/SC70-6/SOT-363 |
| Transistor Type | 2 NPN-Pre-Biased |
| Структура | npn |
| Collector Current (Ic) | 100mA |
| Power Dissipation (Pd) | 250mW |
| Transition Frequency (fT) | - |
| DC Current Gain (hFE@Ic,Vce) | 15@5mA, 10V |
| Collector Cut-Off Current (Icbo) | 500nA |
| Collector-Emitter Breakdown Voltage (Vceo) | 50V |
| Collector-Emitter Saturation Voltage (VCE(sat)@Ic,Ib) | 250mV@10mA, 1mA |
| Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А) | 0.1 |