MUN5230DW1T1G, 3@5mA,10V 250mV@10mA,5mA 2 NPN - Pre-Biased 250mW 100mA 50V 500nA SOT-363-6 Digital Transistors
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8062237129
- Артикул
- MUN5230DW1T1G
- Бренд
- ON Semiconductor***
- PPAP
- No
- Type
- NPN
- EU RoHS
- Compliant
- Mounting
- Surface Mount
Цена по запросу
(от 16,04 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Биполярные транзисторы - С предварительно заданным током смещения 100mA 50V BRT Dual NPN
Технические параметры
| PPAP | No |
| Type | NPN |
| EU RoHS | Compliant |
| Mounting | Surface Mount |
| ECCN (US) | EAR99 |
| Packaging | Tape and Reel |
| Pin Count | 6 |
| Automotive | No |
| Вес, г | 0.06 |
| Длина | 2 mm |
| Серия | MUN5230DW1 |
| PCB changed | 6 |
| Part Status | Active |
| Высота | 0.9 mm |
| Корпус | SOT-363 |
| Ширина | 1.25 mm |
| Configuration | Dual |
| Supplier Package | SC-88 |
| Структура | npn |
| Standard Package Name | SOT |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Typical Resistor Ratio | 1 |
| Minimum DC Current Gain | 3@5mA@10V |
| Тип продукта | BJTs - Bipolar Transistors - Pre-Biased |
| Конфигурация | Dual |
| Подкатегория | Transistors |
| Торговая марка | ON Semiconductor |
| Упаковка / блок | SOT-363-6 |
| Minimum DC Current Gain Range | <30 |
| Typical Input Resistor (kOhm) | 1 |
| Maximum Power Dissipation (mW) | 385 |
| Maximum Operating Temperature (°C) | 150 |
| Minimum Operating Temperature (°C) | -55 |
| Категория продукта | Биполярные транзисторы - С предварительно заданным |
| Operating Junction Temperature (°C) | -55 to 150 |
| Maximum Collector-Emitter Voltage (V) | 50 |
| Полярность транзистора | NPN |
| Maximum Continuous DC Collector Current (mA) | 100 |
| Pd - рассеивание мощности | 187 mW |
| Maximum Collector-Emitter Saturation Voltage (V) | 0.25@5mA@10mA |
| Размер фабричной упаковки | 3000 |
| Непрерывный коллекторный ток | 0.1 A |
| Типичное входное сопротивление | 1 kOhms |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Пиковый постоянный ток коллектора | 100 mA |
| Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 50 V |
| Типичный коэффициент деления резистора | 1 |
| Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс. | 3 at 5 mA at 10 V |
| Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe) | 3 |