Моя заявка (0)

MUN5214DW1T1G, Bipolar Pre-Biased / Digital Transistor, BRT, Dual NPN, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 47 kohm

MUN5214DW1T1G, Bipolar Pre-Biased / Digital Transistor, BRT, Dual NPN, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 47 kohm

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8944522705
Артикул
MUN5214DW1T1G
Бренд
ON Semiconductor***
Case
SC70-6, SC88, SOT363
Type
NPN
Mounting
Surface Mount
Packaging
Tape and Reel
Цена по запросу
(от 25 ₽)
Минимальный заказ: 5 шт.

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Цифровые биполярные транзисторы NPN+NPN, 50 В, 0.1 А, 0.25 Вт, 10 кОм+47 кОм

Технические параметры

CaseSC70-6, SC88, SOT363
TypeNPN
MountingSurface Mount
PackagingTape and Reel
Pin Count6
Вес, г0.04
Current gain80…140
ManufacturerONSEMI
Package TypeSC-88
Polarisationbipolar
Rad HardenedNo
КорпусSOT-363(CASE 419B)
Base resistor10kΩ
ConfigurationDual
Input Resistor10kΩ
Resistor Ratio6
DC Current Gain80
Kind of packagereel, tape
Collector current0.1A
Power Dissipation0.385(W)
Kind of transistorBRT
Type of transistorNPN x2
Структураnpn
Transistor PolarityNPN
Base-emitter resistor47kΩ
DC Current Gain (Min)80
Collector Current (DC)0.1(A)
Collector Current (Ic)100mA
Power Dissipation (Pd)187mW
Typical Input Resistor10
Typical Resistor Ratio0.21
Collector-Emitter Voltage50 V
DC Current Gain (hFE@Ic,Vce)80@5.0mA, 10V
Input Voltage (VI(on)@Ic,Vce)1.4V@1.0mA, 0.2V
Output Voltage (VO(on)@Io/Ii)200mV
Input Voltage (VI(off)@Ic,Vce)0.7V@100uA, 5.0V
Emitter-Collector Voltage (Max)50(V)
Operating Temperature ClassificationMilitary
Collector-Emitter Breakdown Voltage (Vceo)50V
Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А)100 mA
Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В50

Техническая документация