Моя заявка (0)
MUN5213T1G, Digital Transistors 100mA 50V BRT NPN

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8006247607
Артикул
MUN5213T1G
Бренд
ON Semiconductor***
Pin Count
3
Вес, г
0.07
Длина
2.1 mm
Серия
MUN5213
Цена по запросу
(от 11,27 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Описание Транзистор: NPN, биполярный, BRT, 50В, 0,1А, 310мВт, SOT323 Характеристики Категория Транзистор Тип биполярный Вид NPN

Технические параметры

Pin Count3
Вес, г0.07
Длина2.1 mm
СерияMUN5213
Package TypeSOT-323(SC-70)
Высота0.85 mm
Корпусsot-323
Ширина1.24 mm
Mounting TypeSurface Mount
Transistor TypeNPN
Структураnpn
Base-Emitter Resistor47kΩ
Вид монтажаSMD/SMT
Typical Input Resistor47 kΩ
Typical Resistor Ratio1
Тип продуктаBJTs - Bipolar Transistors - Pre-Biased
Transistor ConfigurationSingle
КонфигурацияSingle
ПодкатегорияTransistors
Maximum Power Dissipation310 mW
Number of Elements per Chip1
Торговая маркаON Semiconductor
Упаковка / блокSC-70-3
Maximum DC Collector Current100 mA
Maximum Operating Temperature+150 °C
Maximum Collector Emitter Voltage50 V
Категория продуктаБиполярные транзисторы - С предварительно заданным
Полярность транзистораNPN
Pd - рассеивание мощности202 mW
Размер фабричной упаковки3000
Непрерывный коллекторный ток100 mA
Типичное входное сопротивление47 kOhms
Минимальная рабочая температура55 C
Максимальная рабочая температура+ 150 C
Пиковый постоянный ток коллектора100 mA
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.50 V
Типичный коэффициент деления резистора1
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс.80
Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe)80, 140

Техническая документация