MUN5211T1G,Bipolar Pre-Biased / Digital Transistor, BRT, Single NPN, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 10 kohm
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8480593157
- Артикул
- MUN5211T1G
- Бренд
- ON Semiconductor***
- PPAP
- No
- Type
- NPN
- Вид
- NPN
- Тип
- биполярный
Цена по запросу
(от 19 ₽)
Минимальный заказ: 5 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Описание Транзистор: NPN, биполярный, BRT, 50В, 0,1А, 310мВт, SOT323 Характеристики Категория Транзистор Тип биполярный Вид NPN
Технические параметры
| PPAP | No |
| Type | NPN |
| Вид | NPN |
| Тип | биполярный |
| EU RoHS | Compliant |
| Mounting | Surface Mount |
| ECCN (US) | EAR99 |
| Packaging | Tape and Reel |
| Pin Count | 3 |
| Automotive | No |
| Lead Shape | Gull-wing |
| Вес, г | 0.072 |
| PCB changed | 3 |
| Part Status | Active |
| Package Type | SOT-323(SC-70) |
| Configuration | Single |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Transistor Type | NPN |
| Supplier Package | SC-70 |
| Standard Package Name | SOT |
| Typical Resistor Ratio | 1 |
| Minimum DC Current Gain | 35@5mA@10V |
| Transistor Configuration | Single |
| Maximum Power Dissipation | 310 mW |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Maximum DC Collector Current | 100 mA |
| Maximum Operating Temperature | +150 °C |
| Minimum DC Current Gain Range | 30 to 50 |
| Typical Input Resistor (kOhm) | 10 |
| Maximum Collector Base Voltage | 50 V |
| Maximum Power Dissipation (mW) | 310 |
| Maximum Collector Emitter Voltage | 50 V |
| Maximum Operating Temperature (°C) | 150 |
| Minimum Operating Temperature (°C) | -55 |
| Operating Junction Temperature (°C) | -55 to 150 |
| Maximum Collector-Emitter Voltage (V) | 50 |
| Maximum Continuous DC Collector Current (mA) | 100 |
| Maximum Collector-Emitter Saturation Voltage (V) | 0.25@0.3mA@10mA |