MUN5135T1G,Bipolar Pre-Biased / Digital Transistor, Single PNP, 50 V, 100 mA, 2.2 kohm, 47 kohm
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8067228396
- Артикул
- MUN5135T1G
- Бренд
- ON Semiconductor***
- PPAP
- No
- Type
- PNP
- Brand
- ON Semiconductor
- Series
- MUN5135
Цена по запросу
(от 17 ₽)
Минимальный заказ: 5 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Биполярные транзисторы - С предварительно заданным током смещения 100mA 50V BRT PNP
Технические параметры
| PPAP | No |
| Type | PNP |
| Brand | ON Semiconductor |
| Series | MUN5135 |
| Mounting | Surface Mount |
| ECCN (US) | EAR99 |
| Packaging | Cut Tape or Reel |
| Pin Count | 3 |
| Automotive | No |
| Lead Shape | Gull-wing |
| Вес, г | 0.01 |
| Длина | 2.1 mm |
| Серия | MUN5135 |
| PCB changed | 3 |
| Part Status | Active |
| Subcategory | Transistors |
| Manufacturer | ON Semiconductor |
| Product Type | BJTs-Bipolar Transistors-Pre-Biased |
| Высота | 0.85 mm |
| Корпус | sot-323 |
| Ширина | 1.24 mm |
| Configuration | Single |
| Mounting Style | SMD/SMT |
| Package / Case | SC-70-3 |
| Product Category | Bipolar Transistors-Pre-Biased |
| Supplier Package | SC-70 |
| Структура | pnp |
| Transistor Polarity | PNP |
| Factory Pack Quantity | 3000 |
| Standard Package Name | SOT |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Pd - Power Dissipation | 202 mW |
| Typical Input Resistor | 2.2 kOhms |
| Typical Resistor Ratio | 0.047 |
| DC Current Gain HFE Max | 80 |
| Minimum DC Current Gain | 80@5mA@10V |
| Тип продукта | BJTs - Bipolar Transistors - Pre-Biased |
| Квалификация | AEC-Q101 |
| Конфигурация | Single |
| Подкатегория | Transistors |
| Peak DC Collector Current | 100 mA |
| Торговая марка | ON Semiconductor |
| Упаковка / блок | SC-70-3 |
| Continuous Collector Current | 0.1 A |
| Maximum Operating Temperature | +150 C |
| Minimum Operating Temperature | -55 C |
| Typical Input Resistor (kOhm) | 2.2 |
| DC Collector/Base Gain Hfe Min | 80 |
| Maximum Power Dissipation (mW) | 310 |
| Collector- Emitter Voltage VCEO Max | 50 V |
| Maximum Operating Temperature (°C) | 150 |
| Minimum Operating Temperature (°C) | -55 |
| Категория продукта | Биполярные транзисторы - С предварительно заданным |
| Operating Junction Temperature (°C) | -55 to 150 |
| Maximum Collector-Emitter Voltage (V) | 50 |
| Полярность транзистора | PNP |
| Maximum Continuous DC Collector Current (mA) | 100 |
| Pd - рассеивание мощности | 202 mW |
| Maximum Collector-Emitter Saturation Voltage (V) | 0.25@0.3mA@10mA |
| Размер фабричной упаковки | 3000 |
| Непрерывный коллекторный ток | 0.1 A |
| Типичное входное сопротивление | 2.2 kOhms |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Пиковый постоянный ток коллектора | 100 mA |
| Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А) | 100 mA |
| Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 50 V |
| Типичный коэффициент деления резистора | 0.047 |
| Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс. | 80 |
| Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe) | 80 |
| Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В | 50 |