Моя заявка (0)

MUN5133T1G,Bipolar Pre-Biased / Digital Transistor, Single PNP, 50 V, 100 mA, 4.7 kohm, 47 kohm

MUN5133T1G,Bipolar Pre-Biased / Digital Transistor, Single PNP, 50 V, 100 mA, 4.7 kohm, 47 kohm

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8218501602
Артикул
MUN5133T1G
Бренд
ON Semiconductor***
Вес, г
0.01
Длина
2.1 mm
Серия
MUN5133
Высота
0.85 mm
Цена по запросу
(от 18 ₽)
Минимальный заказ: 5 шт.

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Биполярные транзисторы - С предварительно заданным током смещения SS BR XSTR PNP 50V

Технические параметры

Вес, г0.01
Длина2.1 mm
СерияMUN5133
Высота0.85 mm
Ширина1.24 mm
Структураpnp
Вид монтажаSMD/SMT
Тип продуктаBJTs - Bipolar Transistors - Pre-Biased
КвалификацияAEC-Q101
КонфигурацияSingle
ПодкатегорияTransistors
Торговая маркаON Semiconductor
Упаковка / блокSC-70/SOT-323-3
Категория продуктаБиполярные транзисторы - С предварительно заданным
Полярность транзистораPNP
Pd - рассеивание мощности310 mW
Размер фабричной упаковки3000
Непрерывный коллекторный ток100 mA
Типичное входное сопротивление4.7 kOhms
Минимальная рабочая температура55 C
Максимальная рабочая температура+ 150 C
Пиковый постоянный ток коллектора100 mA
Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А)100 mA
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.50 V
Типичный коэффициент деления резистора0.1
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс.80
Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe)80
Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В50

Техническая документация