MUN5133DW1T1G, Транзистор: PNP x2, биполярный, BRT, 50В, 0,1А, 187мВт, SOT363
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8017541375
- Артикул
- MUN5133DW1T1G
- Бренд
- ON Semiconductor***
- Brand
- ON Semiconductor
- Series
- MUN5133DW1
- Packaging
- Cut Tape or Reel
- Вес, г
- 0.03
Цена по запросу
(от 5 ₽)
Минимальный заказ: 5 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Описание Транзистор: PNP x2, биполярный, BRT, 50В, 0,1А, 187мВт, SOT363 Характеристики Категория Транзистор Тип биполярный Вид PNP
Технические параметры
| Brand | ON Semiconductor |
| Series | MUN5133DW1 |
| Packaging | Cut Tape or Reel |
| Вес, г | 0.03 |
| Subcategory | Transistors |
| Manufacturer | ON Semiconductor |
| Product Type | BJTs-Bipolar Transistors-Pre-Biased |
| Корпус | SOT-363 |
| Configuration | Dual |
| Mounting Style | SMD/SMT |
| Package / Case | SC-88-6 |
| Product Category | Bipolar Transistors-Pre-Biased |
| Структура | pnp |
| Transistor Polarity | PNP |
| Factory Pack Quantity | 3000 |
| Pd - Power Dissipation | 250 mW |
| Typical Input Resistor | 4.7 kOhms |
| Typical Resistor Ratio | 0.1 |
| DC Current Gain HFE Max | 80 at 5 mA at 10 V |
| Peak DC Collector Current | 100 mA |
| Continuous Collector Current | -0.1 A |
| Maximum Operating Temperature | +150 C |
| Minimum Operating Temperature | -55 C |
| DC Collector/Base Gain Hfe Min | 80 |
| Collector- Emitter Voltage VCEO Max | 50 V |
| Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А) | 0.1 |