MUN5116DW1T1G, Digital Transistors 100mA 50V BRT Dual PNP
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8004738692
- Артикул
- MUN5116DW1T1G
- Бренд
- ON Semiconductor***
- Вес, г
- 1
- Длина
- 2 mm
- Серия
- MUN5116DW1
- Высота
- 0.9 mm
Цена по запросу
(от 17,76 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Биполярные транзисторы - С предварительно заданным током смещения 100mA 50V BRT Dual PNP
Технические параметры
| Вес, г | 1 |
| Длина | 2 mm |
| Серия | MUN5116DW1 |
| Высота | 0.9 mm |
| Ширина | 1.25 mm |
| Структура | pnp |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Тип продукта | BJTs - Bipolar Transistors - Pre-Biased |
| Квалификация | AEC-Q101 |
| Конфигурация | Dual |
| Подкатегория | Transistors |
| Торговая марка | ON Semiconductor |
| Упаковка / блок | SC-88-6 |
| Категория продукта | Биполярные транзисторы - С предварительно заданным |
| Полярность транзистора | PNP |
| Pd - рассеивание мощности | 250 mW |
| Размер фабричной упаковки | 3000 |
| Непрерывный коллекторный ток | 0.1 A |
| Типичное входное сопротивление | 4.7 kOhms |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Пиковый постоянный ток коллектора | 100 mA |
| Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 50 V |
| Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс. | 160 at 5 mA at 10 V |
| Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe) | 160 |