MUN5114T1G, Bipolar Pre-Biased / Digital Transistor, Single PNP, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 47 kohm
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8003070321
- Артикул
- MUN5114T1G
- Бренд
- ON Semiconductor***
- Вес, г
- 0.4
- Power Dissipation
- 310мВт
- Структура
- pnp
- DC Current Gain hFE Min
- 80hFE
Цена по запросу
(от 19 ₽)
Минимальный заказ: 5 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Технические параметры
| Вес, г | 0.4 |
| Power Dissipation | 310мВт |
| Структура | pnp |
| DC Current Gain hFE Min | 80hFE |
| Continuous Collector Current | 100мА |
| Collector Emitter Voltage Max PNP | 50В |
| Количество Выводов | 3 Вывода |
| Монтаж транзистора | Surface Mount |
| Корпус РЧ Транзистора | SC-70 |
| Полярность Транзистора | Single PNP |
| Резистор База-эмиттер R2 | 47кОм |
| Резистор На входе Базы R1 | 10кОм |
| Стиль Корпуса Транзистора | SC-70 |
| Напряжение Коллектор-Эмиттер | 50В |
| Непрерывный Коллекторный Ток Ic | 100мА |
| Соотношение Сопротивления, R1 / R2 | 0.21соотношение |
| Максимальная Рабочая Температура | 150°C |
| Полярность Цифрового Транзистора | Одиночный PNP |
| Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А) | 100 mA |
| Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В | 50 |