MUN5111DW1T1G, Bipolar Pre-Biased / Digital Transistor, Dual PNP, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 10 kohm
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8932659962
- Артикул
- MUN5111DW1T1G
- Бренд
- ON Semiconductor***
- Brand
- ON Semiconductor
- Series
- MUN5111DW1
- Packaging
- Cut Tape or Reel
- Вес, г
- 0.04
Цена по запросу
(от 25 ₽)
Минимальный заказ: 5 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Описание Транзистор: PNP x2, биполярный, BRT, 50В, 0,1А, 187мВт, SOT363 Характеристики Категория Транзистор Тип биполярный Вид PNP
Технические параметры
| Brand | ON Semiconductor |
| Series | MUN5111DW1 |
| Packaging | Cut Tape or Reel |
| Вес, г | 0.04 |
| Subcategory | Transistors |
| Manufacturer | ON Semiconductor |
| Product Type | BJTs-Bipolar Transistors-Pre-Biased |
| Корпус | SOT363-6 |
| Configuration | Dual |
| Mounting Style | SMD/SMT |
| Package / Case | SC-88-6 |
| Product Category | Bipolar Transistors-Pre-Biased |
| Структура | pnp |
| Transistor Polarity | PNP |
| Factory Pack Quantity | 3000 |
| Pd - Power Dissipation | 250 mW |
| Typical Input Resistor | 10 kOhms |
| Typical Resistor Ratio | 1 |
| DC Current Gain HFE Max | 35 at 5 mA at 10 V |
| Peak DC Collector Current | 100 mA |
| Continuous Collector Current | -0.1 A |
| Maximum Operating Temperature | +150 C |
| Minimum Operating Temperature | -55 C |
| DC Collector/Base Gain Hfe Min | 35 |
| Collector- Emitter Voltage VCEO Max | 50 V |
| Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А) | 100 mA |
| Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В | 50 |