MUN2232T1G, Bipolar Pre-Biased / Digital Transistor, Single NPN, 50 V, 100 mA, 4.7 kohm, 4.7 kohm
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8219029659
- Артикул
- MUN2232T1G
- Бренд
- ON Semiconductor***
- Вес, г
- 0.07
- Длина
- 2.9 mm
- Серия
- MUN2232
- Высота
- 1.09 mm
Цена по запросу
(от 16 ₽)
Минимальный заказ: 5 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Биполярные транзисторы - С предварительно заданным током смещения SS BR XSTR NPN 50V
Технические параметры
| Вес, г | 0.07 |
| Длина | 2.9 mm |
| Серия | MUN2232 |
| Высота | 1.09 mm |
| Ширина | 1.5 mm |
| Структура | npn |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Collector Current (Ic) | 100mA |
| Power Dissipation (Pd) | 338mW |
| Тип продукта | BJTs - Bipolar Transistors - Pre-Biased |
| Квалификация | AEC-Q101 |
| Конфигурация | Single |
| Подкатегория | Transistors |
| Торговая марка | ON Semiconductor |
| Упаковка / блок | SC-59 |
| DC Current Gain (hFE@Ic,Vce) | 15@5mA, 10V |
| Категория продукта | Биполярные транзисторы - С предварительно заданным |
| Collector-Emitter Breakdown Voltage (Vceo) | 50V |
| Полярность транзистора | NPN |
| Pd - рассеивание мощности | 338 mW |
| Размер фабричной упаковки | 3000 |
| Непрерывный коллекторный ток | 100 mA |
| Типичное входное сопротивление | 4.7 kOhms |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Пиковый постоянный ток коллектора | 100 mA |
| Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А) | 100 mA |
| Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 50 V |
| Типичный коэффициент деления резистора | 1 |
| Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe) | 15 |
| Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В | 50 |