Моя заявка (0)

MUN2232T1G, 15@5mA,10V 250mV@10mA,1mA 1 NPN - Pre Biased 338mW 100mA 50V 500nA SC-59 Digital Transistors

MUN2232T1G, 15@5mA,10V 250mV@10mA,1mA 1 NPN - Pre Biased 338mW 100mA 50V 500nA SC-59 Digital Transistors

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8017613974
Артикул
MUN2232T1G
Бренд
ON Semiconductor***
Вес, г
0.04
Длина
2.9 mm
Серия
MUN2232
Высота
1.09 mm
Цена по запросу
(от 18 ₽)
Минимальный заказ: 5 шт.

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Биполярные транзисторы - С предварительно заданным током смещения SS BR XSTR NPN 50V

Технические параметры

Вес, г0.04
Длина2.9 mm
СерияMUN2232
Высота1.09 mm
Ширина1.5 mm
Структураnpn
Вид монтажаSMD/SMT
Collector Current (Ic)100mA
Power Dissipation (Pd)338mW
Тип продуктаBJTs - Bipolar Transistors - Pre-Biased
КвалификацияAEC-Q101
КонфигурацияSingle
ПодкатегорияTransistors
Торговая маркаON Semiconductor
Упаковка / блокSC-59
DC Current Gain (hFE@Ic,Vce)15@5mA, 10V
Категория продуктаБиполярные транзисторы - С предварительно заданным
Collector-Emitter Breakdown Voltage (Vceo)50V
Полярность транзистораNPN
Pd - рассеивание мощности338 mW
Размер фабричной упаковки3000
Непрерывный коллекторный ток100 mA
Типичное входное сопротивление4.7 kOhms
Минимальная рабочая температура55 C
Максимальная рабочая температура+ 150 C
Пиковый постоянный ток коллектора100 mA
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.50 V
Типичный коэффициент деления резистора1
Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe)15

Техническая документация