MUN2216T1G, Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 338mW 3-Pin SC-59 T/R
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8001228783
- Артикул
- MUN2216T1G
- Бренд
- ON Semiconductor***
- Вес, г
- 1
- Длина
- 2.9 mm
- Серия
- MUN2216
- Высота
- 1.09 mm
Цена по запросу
(от 7 ₽)
Минимальный заказ: 4500 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Биполярные транзисторы - С предварительно заданным током смещения SS BR XSTR NPN 50V
Технические параметры
| Вес, г | 1 |
| Длина | 2.9 mm |
| Серия | MUN2216 |
| Высота | 1.09 mm |
| Ширина | 1.5 mm |
| Структура | npn |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Тип продукта | BJTs - Bipolar Transistors - Pre-Biased |
| Квалификация | AEC-Q101 |
| Конфигурация | Single |
| Подкатегория | Transistors |
| Торговая марка | ON Semiconductor |
| Упаковка / блок | SC-59 |
| Категория продукта | Биполярные транзисторы - С предварительно заданным |
| Полярность транзистора | NPN |
| Pd - рассеивание мощности | 338 mW |
| Размер фабричной упаковки | 3000 |
| Непрерывный коллекторный ток | 100 mA |
| Типичное входное сопротивление | 4.7 kOhms |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Пиковый постоянный ток коллектора | 100 mA |
| Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А) | 0.1 |
| Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 50 V |
| Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe) | 160 |