Моя заявка (0)

MUN2213T1G, Транзистор: NPN, биполярный, BRT, 50В, 0,1А, 230мВт, SC59, R1: 47кОм

MUN2213T1G, Транзистор: NPN, биполярный, BRT, 50В, 0,1А, 230мВт, SC59, R1: 47кОм

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8017537963
Артикул
MUN2213T1G
Бренд
ON Semiconductor***
Вес, г
1
Длина
2.9 mm
Серия
MUN2213
Высота
1.09 mm
Цена по запросу
(от 120 ₽)
Минимальный заказ: 5 шт.

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Описание Транзистор: NPN, биполярный, BRT, 50В, 0,1А, 230мВт, SC59, R1: 47кОм Характеристики Категория Транзистор Тип биполярный Вид NPN

Технические параметры

Вес, г1
Длина2.9 mm
СерияMUN2213
Высота1.09 mm
КорпусSC-59
Ширина1.5 mm
Структураnpn
Вид монтажаSMD/SMT
Тип продуктаBJTs - Bipolar Transistors - Pre-Biased
КвалификацияAEC-Q101
КонфигурацияSingle
ПодкатегорияTransistors
Торговая маркаON Semiconductor
Упаковка / блокSC-59-3
Категория продуктаБиполярные транзисторы - С предварительно заданным
Полярность транзистораNPN
Pd - рассеивание мощности230 mW
Размер фабричной упаковки3000
Непрерывный коллекторный ток0.1 A
Типичное входное сопротивление47 kOhms
Минимальная рабочая температура55 C
Максимальная рабочая температура+ 150 C
Пиковый постоянный ток коллектора100 mA
Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А)0.1
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.50 V
Типичный коэффициент деления резистора1
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс.80
Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe)80, 140

Техническая документация