Моя заявка (0)

MUN2212T1G, Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 338mW 3-Pin SC-59 T/R

MUN2212T1G, Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 338mW 3-Pin SC-59 T/R

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8001063384
Артикул
MUN2212T1G
Бренд
ON Semiconductor***
PPAP
No
Type
NPN
Mounting
Surface Mount
Packaging
Tape and Reel
Цена по запросу
(от 38 ₽)
Минимальный заказ: 800 шт.

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 338 МВт 3-контактный SC-59 T/R

Технические параметры

PPAPNo
TypeNPN
MountingSurface Mount
PackagingTape and Reel
Pin Count3
AutomotiveNo
Lead ShapeGull-wing
Вес, г0.05
Длина2.9 mm
СерияMUN2212
PCB changed3
Part StatusActive
Package TypeSOT-346(SC-59)
Высота1.09 mm
Ширина1.5 mm
ConfigurationSingle
Mounting TypeSurface Mount
Package Width1.5 mm
Package Length2.9 mm
Transistor TypeNPN
Supplier PackageSC-59
Структураnpn
Standard Package NameSOT
Вид монтажаSMD/SMT
Typical Input Resistor22 kΩ
Typical Resistor Ratio1
Minimum DC Current Gain60@5mA@10V
Тип продуктаBJTs - Bipolar Transistors - Pre-Biased
Transistor ConfigurationSingle
КвалификацияAEC-Q101
КонфигурацияSingle
ПодкатегорияTransistors
Number of Elements per Chip1
Торговая маркаON Semiconductor
Упаковка / блокSC-59
Maximum DC Collector Current100 mA
Maximum Operating Temperature+150 °C
Maximum Power Dissipation (mW)338
Typical Input Resistance (kOhm)22
Maximum Collector Emitter Voltage50 V
Maximum Operating Temperature (°C)150
Minimum Operating Temperature (°C)-55
Категория продуктаБиполярные транзисторы - С предварительно заданным
Maximum Collector-Emitter Voltage (V)50
Полярность транзистораNPN
Maximum Continuous DC Collector Current (mA)0.1
Pd - рассеивание мощности338 mW
Maximum Collector-Emitter Saturation Voltage (V)0.25@0.3mA@10mA
Размер фабричной упаковки3000
Непрерывный коллекторный ток100 mA
Типичное входное сопротивление22 kOhms
Минимальная рабочая температура55 C
Максимальная рабочая температура+ 150 C
Пиковый постоянный ток коллектора100 mA
Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А)0.1
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.50 V
Типичный коэффициент деления резистора1
Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe)60

Техническая документация