Моя заявка (0)

MUN2211T3G, Транзистор: NPN; биполярный; BRT; 50В; 0,1А; 0,23Вт; SC59; R1: 10кОм

MUN2211T3G, Транзистор: NPN; биполярный; BRT; 50В; 0,1А; 0,23Вт; SC59; R1: 10кОм

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8062117426
Артикул
MUN2211T3G
Бренд
ON Semiconductor***
Вес, г
0.05
Длина
2.9 mm
Серия
MUN2211
Высота
1.09 mm
Цена по запросу
(от 9,82 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Биполярные транзисторы - С предварительно заданным током смещения 100mA 50V BRT NPN

Технические параметры

Вес, г0.05
Длина2.9 mm
СерияMUN2211
Высота1.09 mm
Ширина1.5 mm
Структураnpn
Вид монтажаSMD/SMT
Collector Current (Ic)100mA
Power Dissipation (Pd)230mW
Тип продуктаBJTs - Bipolar Transistors - Pre-Biased
КонфигурацияSingle
ПодкатегорияTransistors
Торговая маркаON Semiconductor
Упаковка / блокSC-59-3
DC Current Gain (hFE@Ic,Vce)35@5mA, 10V
Категория продуктаБиполярные транзисторы - С предварительно заданным
Collector-Emitter Breakdown Voltage (Vceo)50V
Полярность транзистораNPN
Pd - рассеивание мощности230 mW
Размер фабричной упаковки10000
Непрерывный коллекторный ток0.1 A
Типичное входное сопротивление10 kOhms
Минимальная рабочая температура55 C
Максимальная рабочая температура+ 150 C
Пиковый постоянный ток коллектора100 mA
Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт0.23
Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А)0.1
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.50 V
Типичный коэффициент деления резистора1
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс.35
Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe)35
Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В50

Техническая документация