MTD6P10ET4-VB, 100V 8.8A 250m-@10V,3.6A 32.1W 2.5V@250uA 41pF@50V P Channel 1.055nF@50V 11.7nC@4.5V -55-~+150-@(Tj) TO-252-2 MOSFETs
нет фото
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8015932136
- Артикул
- MTD6P10ET4-VB
- Бренд
- Vbsemi Electronics Co., Ltd.
- Type
- P Channel
- Вес, г
- 0.4
- Корпус
- TO-252
- Структура
- P-Channel
Цена по запросу
(от 61,04 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
100 В 8,8 А 250 Мом при 10 В, 3,6 А 32,1 Вт 2.5V@250uA P-канал TO-252-2 МОП-транзистора ROHS
Технические параметры
| Type | P Channel |
| Вес, г | 0.4 |
| Корпус | TO-252 |
| Структура | P-Channel |
| Operating Temperature | -55℃~+150℃@(Tj) |
| Power Dissipation (Pd) | 32.1W |
| Особенности | - |
| Total Gate Charge (Qg@Vgs) | 11.7nC@4.5V |
| Input Capacitance (Ciss@Vds) | 1.055nF@50V |
| Continuous Drain Current (Id) | 8.8A |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds) | 41pF@50V |
| Пороговое напряжение на затворе | 2.5V@250uA |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 100 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 8.8 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 32.1 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 250mΩ@10V, 3.6A |