MTD20N03HDLT4G-VB, 30V 50A 7m-@10V,21.8A 100W 2V@250uA 370pF@15V N Channel 2.201nF@15V 25nC@4.5V -55-~+175-@(Tj) TO-252-2 MOSFETs
нет фото
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8015840295
- Артикул
- MTD20N03HDLT4G-VB
- Бренд
- Vbsemi Electronics Co., Ltd.
- Type
- N Channel
- Вес, г
- 0.38
- Корпус
- TO-252
- Структура
- N-Channel
Цена по запросу
(от 97 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
30 В 50 А 7 моМ при 10 В, 21,8 А 100 Вт 2 В при 250uA N-канальный TO-252-2 МОП-транзистора ROHS
Технические параметры
| Type | N Channel |
| Вес, г | 0.38 |
| Корпус | TO-252 |
| Структура | N-Channel |
| Operating Temperature | -55℃~+175℃@(Tj) |
| Power Dissipation (Pd) | 100W |
| Особенности | - |
| Total Gate Charge (Qg@Vgs) | 25nC@4.5V |
| Input Capacitance (Ciss@Vds) | 2.201nF@15V |
| Continuous Drain Current (Id) | 50A |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds) | 370pF@15V |
| Пороговое напряжение на затворе | 2V@250uA |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 30 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 50 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 100 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 7mΩ@10V, 21.8A |