MT3S111(TE85L,F), Bipolar (BJT) Single Transistor, NPN, 6 V, 100 mA, 700 mW, TO-236, Surface Mount
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8012535415
- Артикул
- MT3S111(TE85L,F)
- Бренд
- Toshiba
- Вес, г
- 0.001
- Power Dissipation
- 700мВт
- Структура
- npn
- DC Current Gain hFE Min
- 200hFE
Цена по запросу
(от 440 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Технические параметры
| Вес, г | 0.001 |
| Power Dissipation | 700мВт |
| Структура | npn |
| DC Current Gain hFE Min | 200hFE |
| Continuous Collector Current | 100мА |
| Collector Emitter Voltage Max | 6В |
| Частота Перехода ft | 11.5ГГц |
| Количество Выводов | 3вывод(-ов) |
| Монтаж транзистора | Surface Mount |
| Полярность Транзистора | NPN |
| Стиль Корпуса Транзистора | TO-236 |
| Максимальная Рабочая Температура | 150°C |
| Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А) | 100 mA |