MSJPF11N80A-BP, MOSFETs N-Ch 800V Super Junction Power FET
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8026932203
- Артикул
- MSJPF11N80A-BP
- Бренд
- Micro Commercial Components Corp. (MCC)
- Brand:
- Micro Commercial Components(MCC)
- Fall Time:
- 6 ns
- Packaging:
- Bulk
- Rise Time:
- 16.3 ns
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
N-канальные МОП-транзисторы Super Junction Power Микро-коммерческие компоненты (MCC) N-канальные МОП-транзисторы Super Junction Power обеспечивают высокое напряжение в диапазоне до 900 В и низкое сопротивление. Эти силовые МОП-транзисторы обеспечивают защиту от электростатического разряда напряжением до 2 кВ и соответствуют стандарту воспламеняемости эпоксидной смолы UL 94 В-0. Силовые МОП-транзисторы super junction работают в диапазоне температур от -55°C до 150°C и имеют уровень чувствительности к влаге 1. Эти n-канальные силовые МОП-транзисторы не содержат свинца и галогенов и соответствуют требованиям RoHS. Силовые МОП-транзисторы идеально подxодят для промышленного применения с высокой мощностью.
Технические параметры
| Brand: | Micro Commercial Components(MCC) |
| Fall Time: | 6 ns |
| Packaging: | Bulk |
| Rise Time: | 16.3 ns |
| Вес, г | 1 |
| Technology: | Si |
| Subcategory: | Transistors |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Manufacturer: | Micro Commercial Components(MCC) |
| Package/Case: | TO-220F-3 |
| Product Type: | MOSFETs |
| Configuration: | Single |
| Mounting Style: | Through Hole |
| Product Category: | MOSFETs |
| Qg - Gate Charge: | 24 nC |
| Структура | N-Channel |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Factory Pack Quantity: | 5000 |
| Особенности | высоковольтный |
| Pd - Power Dissipation: | 25 W |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -20 V, +20 V |
| Typical Turn-On Delay Time: | 12.4 nC |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 14 ns |
| Id - Continuous Drain Current: | 11 A |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 470 mOhms |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 800 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 4.5 V |
| Пороговое напряжение на затворе | -30 V, +30 V |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 800 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 80 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |