MSD602-RT1G, Bipolar Transistors - BJT SS GP XSTR NPN 25V
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8005371880
- Артикул
- MSD602-RT1G
- Бренд
- ON Semiconductor***
- Вес, г
- 0.01
- Длина
- 2.9 mm
- Серия
- MSD602-RT1
- Высота
- 1.09 mm
Цена по запросу
(от 12,25 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Биполярные транзисторы - BJT SS GP XSTR NPN 25V
Технические параметры
| Вес, г | 0.01 |
| Длина | 2.9 mm |
| Серия | MSD602-RT1 |
| Высота | 1.09 mm |
| Ширина | 1.5 mm |
| Структура | npn |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Тип продукта | BJTs - Bipolar Transistors |
| Квалификация | AEC-Q101 |
| Конфигурация | Single |
| Подкатегория | Transistors |
| Торговая марка | ON Semiconductor |
| Упаковка / блок | SC-59-3 |
| Категория продукта | Биполярные транзисторы - BJT |
| Полярность транзистора | NPN |
| Pd - рассеивание мощности | 200 mW |
| Размер фабричной упаковки | 3000 |
| Напряжение эмиттер-база (VEBO) | 7 V |
| Напряжение коллектор-база (VCBO) | 60 V |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 50 V |
| Максимальный постоянный ток коллектора | 0.5 A |
| Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe) | 120 |