MSD1819A-RT1G, Bipolar Transistors - BJT 100mA 60V NPN
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8062800468
- Артикул
- MSD1819A-RT1G
- Бренд
- ON Semiconductor***
- Вес, г
- 0.03
- Длина
- 2.1 mm
- Серия
- MSD1819A-R
- Высота
- 0.85 mm
Цена по запросу
(от 8,50 ₽)
Минимальный заказ: 10 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Биполярные транзисторы - BJT 100mA 60V NPN
Технические параметры
| Вес, г | 0.03 |
| Длина | 2.1 mm |
| Серия | MSD1819A-R |
| Высота | 0.85 mm |
| Ширина | 1.24 mm |
| Структура | npn |
| Технология | Si |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Тип продукта | BJTs - Bipolar Transistors |
| Конфигурация | Single |
| Подкатегория | Transistors |
| Торговая марка | ON Semiconductor |
| Упаковка / блок | SC-70-3 |
| Категория продукта | Биполярные транзисторы - BJT |
| Полярность транзистора | NPN |
| Pd - рассеивание мощности | 150 mW |
| Размер фабричной упаковки | 3000 |
| Напряжение эмиттер-база (VEBO) | 7 V |
| Непрерывный коллекторный ток | 0.1 A |
| Напряжение коллектор-база (VCBO) | 60 V |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 60 V |
| Максимальный постоянный ток коллектора | 0.1 A |
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 0.5 V |
| Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe) | 210 |