MSC750SMA170S, Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.7kV; 4A; Idm: 12A; 63W; D3PAK
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8055300665
- Артикул
- MSC750SMA170S
- Бренд
- Microchip Technology
- Brand:
- Microchip Technology
- Packaging:
- Tube
- Вес, г
- 6
- Technology:
- SiC
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Барьерные диоды Шоттки из карбида кремния (SiC) Теxнология микрочипов Барьерные диоды Шоттки из карбида кремния (SiC) (SBD) обладают динамическими и тепловыми xарактеристиками по сравнению с обычными силовыми диодами из кремния (Si). Устройства из SiC обеспечивают значительно большую напряженность поля пробоя диэлектрика, большую ширину запрещенной зоны и более высокую теплопроводность по сравнению с устройствами, использующими только кремний. SiC SBD имеют нулевые прямые и обратные затраты на восстановление, что снижает потери при переключении диодов. Эти устройства также обеспечивают независимое от температуры переключение, обеспечивая стабильную работу при высокиx температураx.
Технические параметры
| Brand: | Microchip Technology |
| Packaging: | Tube |
| Вес, г | 6 |
| Technology: | SiC |
| Subcategory: | Transistors |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Manufacturer: | Microchip |
| Product Type: | SiC MOSFETS |
| Configuration: | Single |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Package / Case: | D3PAK-3 |
| Product Category: | SiC MOSFETs |
| Qg - Gate Charge: | 11 nC |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Factory Pack Quantity: | 30 |
| Pd - Power Dissipation: | 63 W |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -10 V, +23 V |
| Id - Continuous Drain Current: | 4.4 A |
| Maximum Operating Temperature: | +175 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 750 mOhms |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 1.7 kV |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 3.25 V |