SiC N-Channel MOSFET, 5 A, 1700 V TO-247 MSC750SMA170B
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8014587496
- Артикул
- MSC750SMA170B
- Бренд
- Microchip Technology
- Case
- TO247-3
- Mounting
- THT
- Technology
- SiC
- Вес, г
- 1
Цена по запросу
(от 1 660 ₽)
Минимальный заказ: 2 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Линейка силовыx МОП-транзисторов Microchip из карбида кремния от Micro semi повышает производительность по сравнению с кремниевыми МОП-транзисторами и кремниевыми IGBT-решениями, одновременно снижая общую стоимость владения для высоковольтныx приложений.
Технические параметры
| Case | TO247-3 |
| Mounting | THT |
| Technology | SiC |
| Вес, г | 1 |
| Gate charge | 18nC |
| Channel Type | N |
| Manufacturer | MICROCHIP(MICROSEMI) |
| Package Type | TO-247 |
| Polarisation | unipolar |
| Drain current | 5A |
| Mounting Type | Through Hole |
| Kind of channel | enhanced |
| Power dissipation | 68W |
| Type of transistor | N-MOSFET |
| Структура | N-Channel |
| On-state resistance | 940mΩ |
| Transistor Material | SiC |
| Drain-source voltage | 1.7kV |
| Pulsed drain current | 12A |
| Особенности | высоковольтный |
| Maximum Drain Source Voltage | 1700 V |
| Maximum Continuous Drain Current | 5 A |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 1700 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 5 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 68 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |