MSC2712GT1G NPN Digital Transistor, 100 mA, 50 V, 3-Pin SC-59
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8017329617
- Артикул
- MSC2712GT1G
- Бренд
- ON Semiconductor***
- Pin Count
- 3
- Вес, г
- 1
- Длина
- 2.9 mm
- Серия
- MSC2712GT1
Цена по запросу
(от 35 ₽)
Минимальный заказ: 50 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Биполярный транзистор NPN предназначен для использования в линейныx и коммутационныx системаx. Устройство выполнено в корпусе SC-59, который предназначен для применения на поверxностяx с низким энергопотреблением.
Технические параметры
| Pin Count | 3 |
| Вес, г | 1 |
| Длина | 2.9 mm |
| Серия | MSC2712GT1 |
| Package Type | SC-59 |
| Высота | 1.09 mm |
| Ширина | 1.5 mm |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Transistor Type | NPN |
| Power Dissipation | 200мВт |
| Структура | npn |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| DC Current Gain hFE Min | 200hFE |
| Minimum DC Current Gain | 200 |
| Тип продукта | BJTs - Bipolar Transistors |
| Transistor Configuration | Single |
| Квалификация | AEC-Q101 |
| Конфигурация | Single |
| Подкатегория | Transistors |
| Maximum Power Dissipation | 200 mW |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Торговая марка | ON Semiconductor |
| Упаковка / блок | SC-59-3 |
| Continuous Collector Current | 100мА |
| Maximum DC Collector Current | 100 mA |
| Maximum Emitter Base Voltage | 7 V dc |
| Collector Emitter Voltage Max | 50В |
| Maximum Operating Temperature | +150 °C |
| DC Усиление Тока hFE | 200hFE |
| Maximum Collector Emitter Voltage | 50 V |
| Частота Перехода ft | 50МГц |
| Категория продукта | Биполярные транзисторы - BJT |
| Количество Выводов | 3вывод(-ов) |
| Монтаж транзистора | Surface Mount |
| Полярность транзистора | NPN |
| Pd - рассеивание мощности | 200 mW (1/5 W) |
| Размер фабричной упаковки | 3000 |
| Стиль Корпуса Транзистора | SC-59 |
| Напряжение эмиттер-база (VEBO) | 7 V |
| Непрерывный коллекторный ток | 0.1 A |
| Напряжение коллектор-база (VCBO) | 60 V |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А) | 100 mA |
| Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 50 V |
| Максимальный постоянный ток коллектора | 0.1 A |
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 0.5 V |
| Уровень Чувствительности к Влажности (MSL) | MSL 1-Безлимитный |
| Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe) | 200 |
| Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В | 50 |
| Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT) | 50 MHz |