Моя заявка (0)
MSC2712GT1G, Bipolar Transistors - BJT 100mA 60V NPN

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8006224326
Артикул
MSC2712GT1G
Бренд
ON Semiconductor***
Pin Count
3
Вес, г
0.07
Длина
2.9 mm
Серия
MSC2712GT1
Цена по запросу
(от 16,11 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Биполярные транзисторы - BJT 100mA 60V NPN

Технические параметры

Pin Count3
Вес, г0.07
Длина2.9 mm
СерияMSC2712GT1
Package TypeSC-59
Высота1.09 mm
Ширина1.5 mm
Mounting TypeSurface Mount
Transistor TypeNPN
Power Dissipation200мВт
Структураnpn
Вид монтажаSMD/SMT
DC Current Gain hFE Min200hFE
Minimum DC Current Gain200
Тип продуктаBJTs - Bipolar Transistors
Transistor ConfigurationSingle
КвалификацияAEC-Q101
КонфигурацияSingle
ПодкатегорияTransistors
Maximum Power Dissipation200 mW
Number of Elements per Chip1
Торговая маркаON Semiconductor
Упаковка / блокSC-59-3
Continuous Collector Current100мА
Maximum DC Collector Current100 mA
Maximum Emitter Base Voltage7 V dc
Collector Emitter Voltage Max50В
Maximum Operating Temperature+150 °C
DC Усиление Тока hFE200hFE
Maximum Collector Emitter Voltage50 V
Частота Перехода ft50МГц
Категория продуктаБиполярные транзисторы - BJT
Количество Выводов3вывод(-ов)
Монтаж транзистораSurface Mount
Полярность транзистораNPN
Pd - рассеивание мощности200 mW (1/5 W)
Размер фабричной упаковки3000
Стиль Корпуса ТранзистораSC-59
Напряжение эмиттер-база (VEBO)7 V
Непрерывный коллекторный ток0.1 A
Напряжение коллектор-база (VCBO)60 V
Минимальная рабочая температура55 C
Максимальная рабочая температура+ 150 C
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.50 V
Максимальный постоянный ток коллектора0.1 A
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер0.5 V
Уровень Чувствительности к Влажности (MSL)MSL 1-Безлимитный
Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe)200
Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT)50 MHz

Техническая документация