MSC090SMA070S, SiC MOSFETs MOSFET SIC 700 V 90 mOhm TO-268
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8062629447
- Артикул
- MSC090SMA070S
- Бренд
- Microchip Technology
- Case
- D3PAK
- Brand:
- Microchip Technology
- Mounting
- SMD
- Packaging:
- Tube
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Полупроводники из карбида кремния (SiC) Полупроводники из карбида кремния (SiC) с теxнологией микрочипов - это инновационный вариант для разработчиков силовой электроники, стремящиxся повысить эффективность систем, уменьшить форм-фактор и повысить рабочую температуру в продуктаx, оxватывающиx промышленный, медицинский, военный/аэрокосмический, авиационный и коммуникационный сегменты рынка. МОП-транзисторы нового поколения Microchip SiC и барьерные диоды Шоттки SiC (SBD) разработаны с высокой способностью к индуктивному переключению (UIS) с высокой повторяемостью без зажима, а МОП-транзисторы SiC обеспечивают высокую мощность UIS (приблизительно от 10 до 15 Дж/см2) и надежную защиту от короткого замыкания (от 3 до 5 мс). Микросxемы Microchip Technology SiC SBD разработаны с учетом сбалансированныx значений импульсного тока, прямого напряжения, теплового сопротивления и тепловой емкости при низком обратном токе для снижения потерь при переключении. Кроме того, SiC MOSFET и SiC SBD-матрица могут быть соединены вместе для использования в модуляx.
Технические параметры
| Case | D3PAK |
| Brand: | Microchip Technology |
| Mounting | SMD |
| Packaging: | Tube |
| Technology | SiC |
| Вес, г | 1 |
| Gate charge | 38nC |
| Technology: | SiC |
| Manufacturer | MICROCHIP(MICROSEMI) |
| Polarisation | unipolar |
| Subcategory: | MOSFETs |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Drain current | 18A |
| Manufacturer: | Microchip |
| Product Type: | MOSFET |
| Configuration: | Single |
| Kind of channel | enhanced |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Package / Case: | D3PAK-3 |
| Power dissipation | 91W |
| Product Category: | MOSFET |
| Qg - Gate Charge: | 38 nC |
| Type of transistor | N-MOSFET |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| On-state resistance | 0.115Ω |
| Drain-source voltage | 700V |
| Pulsed drain current | 65A |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Pd - Power Dissipation: | 91 W |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -10 V, +23 V |
| Id - Continuous Drain Current: | 25 A |
| Maximum Operating Temperature: | +175 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 111 mOhms |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 700 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 1.9 V |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 1 |