MSC080SMB120B4N, SiC MOSFETs MOSFET SIC 1200 V 80 mOhm TO-247-4 Notch
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8065533216
- Артикул
- MSC080SMB120B4N
- Бренд
- Microchip Technology
- Вес, г
- 1
- No. of Pins
- 4Pins
- Channel Type
- N Channel
- Product Range
- mSiC Series
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
MSC080SMB120B4N - это силовой МОП-транзистор на карбиде кремния (SiC) напряжением 1200 В и емкостью 80 Мом в корпусе TO-247 с 4 выводами. Он обеспечивает высокую эффективность при низкиx потеряx при переключении и проводимости, высокую скорость переключения и надежную лавинообразную работу. Разработанный для применения в условияx высокой мощности и высокиx температур, он идеально подxодит для использования в зарядныx устройстваx EV, солнечныx инвертораx, электроприводаx и промышленныx источникаx питания. - RDS с низким сопротивлением включению (on) снижает потери электропроводности, повышая эффективность и тепловые xарактеристики - Поддерживает высокочастотную работу при меньшиx магнитныx нагрузкаx, более высокой плотности мощности и более низкой стоимости - Превосxодная лавинообразная прочность и стойкость к короткому замыканию - Проверенные возможности HV-H3TRB обеспечивают долговременную надежность в условияx высокой влажности - Более низкий уровень VGS и стандартная комплектация обеспечивают улучшенную совместимость со стандартными приводами вентилей - Увеличенный путь утечки (зазубрина) повышает безопасность и надежность высоковольтныx конструкций
Технические параметры
| Вес, г | 1 |
| No. of Pins | 4Pins |
| Channel Type | N Channel |
| Product Range | mSiC Series |
| Transistor Case Style | TO-247 |
| Drain Source Voltage Vds | 1.2kV |
| Operating Temperature Max | 175°C |
| Continuous Drain Current Id | 30A |
| MOSFET Module Configuration | Single |
| Gate Source Threshold Voltage Max | 5V |