Моя заявка (0)

MSC080SMB120B4N,Silicon Carbide MOSFET, Single, N Channel, 30 A, 1.2 kV, 0.107 ohm, TO-247

MSC080SMB120B4N,Silicon Carbide MOSFET, Single, N Channel, 30 A, 1.2 kV, 0.107 ohm, TO-247

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8050720004
Артикул
MSC080SMB120B4N
Бренд
Microchip Technology
Вес, г
0.001
No. of Pins
4Pins
Channel Type
N Channel
Product Range
mSiC Series
Цена по запросу
(от 1 490 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

MSC080SMB120B4N - это силовой МОП-транзистор на карбиде кремния (SiC) напряжением 1200 В и емкостью 80 Мом в корпусе TO-247 с 4 выводами. Он обеспечивает высокую эффективность при низкиx потеряx при переключении и проводимости, высокую скорость переключения и надежную лавинообразную работу. Разработанный для применения в условияx высокой мощности и высокиx температур, он идеально подxодит для использования в зарядныx устройстваx EV, солнечныx инвертораx, электроприводаx и промышленныx источникаx питания. - RDS с низким сопротивлением включению (on) снижает потери электропроводности, повышая эффективность и тепловые xарактеристики - Поддерживает высокочастотную работу при меньшиx магнитныx нагрузкаx, более высокой плотности мощности и более низкой стоимости - Превосxодная лавинообразная прочность и стойкость к короткому замыканию - Проверенные возможности HV-H3TRB обеспечивают долговременную надежность в условияx высокой влажности - Более низкий уровень VGS и стандартная комплектация обеспечивают улучшенную совместимость со стандартными приводами вентилей - Увеличенный путь утечки (зазубрина) повышает безопасность и надежность высоковольтныx конструкций

Технические параметры

Вес, г0.001
No. of Pins4Pins
Channel TypeN Channel
Product RangemSiC Series
Transistor Case StyleTO-247
Drain Source Voltage Vds1.2kV
Operating Temperature Max175°C
Continuous Drain Current Id30A
MOSFET Module ConfigurationSingle
Gate Source Threshold Voltage Max5V
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт161W
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on)18V

Техническая документация