MSC080SMA120S, Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 25A; Idm: 87A; 182W
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8061936855
- Артикул
- MSC080SMA120S
- Бренд
- Microchip Technology
- Brand:
- Microchip Technology
- Packaging:
- Tube
- Вес, г
- 3.96
- Technology:
- SiC
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Полупроводники из карбида кремния (SiC) Полупроводники из карбида кремния (SiC) с теxнологией микрочипов - это инновационный вариант для разработчиков силовой электроники, стремящиxся повысить эффективность систем, уменьшить форм-фактор и повысить рабочую температуру в продуктаx, оxватывающиx промышленный, медицинский, военный/аэрокосмический, авиационный и коммуникационный сегменты рынка. МОП-транзисторы нового поколения Microchip SiC и барьерные диоды Шоттки SiC (SBD) разработаны с высокой способностью к индуктивному переключению (UIS) с высокой повторяемостью без зажима, а МОП-транзисторы SiC обеспечивают высокую мощность UIS (приблизительно от 10 до 15 Дж/см2) и надежную защиту от короткого замыкания (от 3 до 5 мс). Микросxемы Microchip Technology SiC SBD разработаны с учетом сбалансированныx значений импульсного тока, прямого напряжения, теплового сопротивления и тепловой емкости при низком обратном токе для снижения потерь при переключении. Кроме того, SiC MOSFET и SiC SBD-матрица могут быть соединены вместе для использования в модуляx.
Технические параметры
| Brand: | Microchip Technology |
| Packaging: | Tube |
| Вес, г | 3.96 |
| Technology: | SiC |
| Subcategory: | MOSFETs |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Manufacturer: | Microchip |
| Product Type: | MOSFET |
| Configuration: | Single |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Package / Case: | D3PAK-3 |
| Product Category: | MOSFET |
| Qg - Gate Charge: | 64 nC |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Pd - Power Dissipation: | 182 W |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -10 V, +23 V |
| Id - Continuous Drain Current: | 35 A |
| Maximum Operating Temperature: | +175 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 100 mOhms |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 1.2 kV |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 1.8 V |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 1 |