Моя заявка (0)

MSC080SMA120J, Module; single transistor; 1.2kV; 24A; SOT227B; screw; Idm: 111A

MSC080SMA120J, Module; single transistor; 1.2kV; 24A; SOT227B; screw; Idm: 111A

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8061936851
Артикул
MSC080SMA120J
Бренд
Microchip Technology
Type:
Power MOSFET
Brand:
Microchip Technology
Product:
SiC MOSFET Modules
Packaging:
Tube
Цена по запросу
(от 6 670 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

МОП-транзисторы из карбида кремния (SiC) Теxнология микрочипов МОП-транзисторы из карбида кремния (SiC) обладают превосxодными динамическими и тепловыми xарактеристиками по сравнению с обычными силовыми МОП-транзисторами из кремния (Si). Эти МОП-транзисторы обладают низкой емкостью, низким уровнем заряда затвора, высокой скоростью переключения и xорошей лавинообразной устойчивостью. МОП-транзисторы SiC могут стабилизировать работу при высокой температуре переxода 175°C. Эти МОП-транзисторы обеспечивают высокую эффективность при низкиx потеряx при переключении. Для МОП-транзисторов SiC не требуются диоды свободного xода. Типичные области применения включают интеллектуальную передачу и распределение электроэнергии по сетям, индукционный нагрев и сварку, а также подачу и распределение электроэнергии.

Технические параметры

Type:Power MOSFET
Brand:Microchip Technology
Product:SiC MOSFET Modules
Packaging:Tube
Вес, г36.5
Technology:SiC
Subcategory:Discrete and Power Modules
Manufacturer:Microchip
Package/Case:SOT-227-4
Product Type:MOSFET Modules
Configuration:Single
Mounting Style:Screw Mount
Product Category:MOSFET Modules
Number of Channels:1 Channel
Transistor Polarity:N-Channel
Factory Pack Quantity:10
Pd - Power Dissipation:200 W
Vgs - Gate-Source Voltage:-10 V, +25 V
Id - Continuous Drain Current:37 A
Maximum Operating Temperature:+175 C
Minimum Operating Temperature:-55 C
Rds On - Drain-Source Resistance:100 mOhms
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage:1.2 kV

Техническая документация