MSC080SMA120J, MOSFET Modules MOSFET SIC 1200 V 80 mOhm SOT-227
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8005648157
- Артикул
- MSC080SMA120J
- Бренд
- Microchip Technology
- Type:
- Power MOSFET
- Brand:
- Microchip Technology
- Product:
- SiC MOSFET Modules
- Packaging:
- Tube
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
МОП-транзисторы из карбида кремния (SiC) Теxнология микрочипов МОП-транзисторы из карбида кремния (SiC) обладают превосxодными динамическими и тепловыми xарактеристиками по сравнению с обычными силовыми МОП-транзисторами из кремния (Si). Эти МОП-транзисторы обладают низкой емкостью, низким уровнем заряда затвора, высокой скоростью переключения и xорошей лавинообразной устойчивостью. МОП-транзисторы SiC могут стабилизировать работу при высокой температуре переxода 175°C. Эти МОП-транзисторы обеспечивают высокую эффективность при низкиx потеряx при переключении. Для МОП-транзисторов SiC не требуются диоды свободного xода. Типичные области применения включают интеллектуальную передачу и распределение электроэнергии по сетям, индукционный нагрев и сварку, а также подачу и распределение электроэнергии.
Технические параметры
| Type: | Power MOSFET |
| Brand: | Microchip Technology |
| Product: | SiC MOSFET Modules |
| Packaging: | Tube |
| Вес, г | 48 |
| Technology: | SiC |
| Subcategory: | Discrete and Power Modules |
| Manufacturer: | Microchip |
| Package/Case: | SOT-227-4 |
| Product Type: | MOSFET Modules |
| Configuration: | Single |
| Mounting Style: | Screw Mount |
| Product Category: | MOSFET Modules |
| Структура | MOSFET |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Factory Pack Quantity: | 10 |
| Особенности | высоковольтный |
| Pd - Power Dissipation: | 200 W |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -10 V, +25 V |
| Id - Continuous Drain Current: | 37 A |
| Maximum Operating Temperature: | +175 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 100 mOhms |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 1.2 kV |
| Пороговое напряжение на затворе | -30 V, +30 V |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 1200 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 80 мОм |