Моя заявка (0)

MSC080SMA120B4, Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 26A; Idm: 90A; 200W

MSC080SMA120B4, Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 26A; Idm: 90A; 200W

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8044002349
Артикул
MSC080SMA120B4
Бренд
Microchip Technology
Case
TO247-4
Mounting
THT
Technology
SiC
Вес, г
6.14
Цена по запросу
(от 2 760 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

МОП-транзистор МОП-транзистор SIC 1200 V 80 mOhm TO-247-4

Технические параметры

CaseTO247-4
MountingTHT
TechnologySiC
Вес, г6.14
Gate charge64nC
ManufacturerMICROCHIP(MICROSEMI)
Polarisationunipolar
Drain current26A
Kind of channelenhanced
УпаковкаBulk
Power dissipation200W
Type of transistorN-MOSFET
On-state resistance0.1Ω
Drain-source voltage1.2kV
Pulsed drain current90A
ТехнологияSiC
Вид монтажаThrough Hole
Тип продуктаMOSFET
ПодкатегорияMOSFETs
Торговая маркаMicrochip Technology
Упаковка / блокTO-247-4
Features of semiconductor devicesKelvin terminal
Категория продуктаМОП-транзистор
Полярность транзистораN-Channel
Размер фабричной упаковки1
Rds Вкл - сопротивление сток-исток80 mOhms
Vds - напряжение пробоя сток-исток1.2 kV

Техническая документация