MSC080SMA120B4, SiC MOSFETs MOSFET SIC 1200 V 80 mOhm TO-247-4
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8004810333
- Артикул
- MSC080SMA120B4
- Бренд
- Microchip Technology
- Case
- TO247-4
- Mounting
- THT
- Pin Count
- 4
- Technology
- SiC
Цена по запросу
(от 1 550 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
МОП-транзистор МОП-транзистор SIC 1200 V 80 mOhm TO-247-4
Технические параметры
| Case | TO247-4 |
| Mounting | THT |
| Pin Count | 4 |
| Technology | SiC |
| Вес, г | 1 |
| Gate charge | 64nC |
| Channel Type | N |
| Manufacturer | MICROCHIP(MICROSEMI) |
| Package Type | TO-247-4 |
| Polarisation | unipolar |
| Drain current | 26A |
| Mounting Type | Through Hole |
| Kind of channel | enhanced |
| Упаковка | Bulk |
| Power dissipation | 200W |
| Type of transistor | N-MOSFET |
| Структура | MOSFET |
| On-state resistance | 0.1Ω |
| Transistor Material | SiC |
| Drain-source voltage | 1.2kV |
| Pulsed drain current | 90A |
| Технология | SiC |
| Вид монтажа | Through Hole |
| Особенности | высоковольтный |
| Тип продукта | MOSFET |
| Подкатегория | MOSFETs |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Торговая марка | Microchip Technology |
| Упаковка / блок | TO-247-4 |
| Maximum Drain Source Voltage | 1200 V |
| Maximum Continuous Drain Current | 26 A |
| Features of semiconductor devices | Kelvin terminal |
| Категория продукта | МОП-транзистор |
| Полярность транзистора | N-Channel |
| Размер фабричной упаковки | 1 |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 80 mOhms |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 1.2 kV |
| Пороговое напряжение на затворе | -8 V, +19 V |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 1200 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 200 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 80 мОм |