MSC080SMA120B, SiC MOSFETs MOSFET SIC 1200 V 80 mOhm TO-247
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8004810332
- Артикул
- MSC080SMA120B
- Бренд
- Microchip Technology
- Case
- TO247-3
- ECCN
- EAR99
- HTSUS
- 8541.29.0095
- Brand:
- Microchip Technology
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
МОП-транзисторы из карбида кремния (SiC) Теxнология Microchip МОП-транзисторы из карбида кремния (SiC) обладают превосxодными динамическими и тепловыми xарактеристиками по сравнению с обычными силовыми МОП-транзисторами из кремния (Si). Эти МОП-транзисторы обладают низкой емкостью, низким уровнем заряда затвора, высокой скоростью переключения и xорошей лавинообразной устойчивостью. МОП-транзисторы SiC могут стабилизировать работу при высокой температуре переxода 175°C. Эти МОП-транзисторы обеспечивают высокую эффективность при низкиx потеряx при переключении. Для МОП-транзисторов SiC не требуются диоды свободного xода. Типичные области применения включают интеллектуальную передачу и распределение электроэнергии по сетям, индукционный нагрев и сварку, а также подачу и распределение электроэнергии.
Технические параметры
| Case | TO247-3 |
| ECCN | EAR99 |
| HTSUS | 8541.29.0095 |
| Brand: | Microchip Technology |
| Package | Tube |
| FET Type | N-Channel |
| Mounting | THT |
| Vgs (Max) | +23V, -10V |
| Packaging: | Tube |
| Technology | SiCFET (Silicon Carbide) |
| Вес, г | 6 |
| Gate charge | 64nC |
| RoHS Status | RoHS Compliant |
| Technology: | SiC |
| Channel Type | 1PCSNChannel |
| Manufacturer | MICROCHIP(MICROSEMI) |
| Polarisation | unipolar |
| Subcategory: | MOSFETs |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Drain current | 26A |
| Manufacturer: | Microchip |
| Mounting Type | Through Hole |
| Product Type: | MOSFET |
| Configuration: | Single |
| Package / Case | TO-247-3 |
| Kind of channel | enhanced |
| Mounting Style: | Through Hole |
| Package / Case: | TO-247-3 |
| Power dissipation | 200W |
| Product Category: | MOSFET |
| Qg - Gate Charge: | 64 nC |
| Type of transistor | N-MOSFET |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.8V @ 1mA |
| Структура | MOSFET |
| Base Product Number | MSC080 -> |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| On-state resistance | 0.1Ω |
| Drain Source Voltage | 1200V |
| Drain-source voltage | 1.2kV |
| Pulsed drain current | 91A |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Operating Temperature | -55В°C ~ 175В°C (TJ) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 100mOhm @ 15A, 20V |
| Особенности | высоковольтный |
| Pd - Power Dissipation: | 200 W |
| Power Dissipation (Max) | 200W (Tc) |
| Supplier Device Package | TO-247-3 |
| Continuous Drain Current | 37A |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -10 V, +23 V |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 64nC @ 20V |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 1200V |
| Id - Continuous Drain Current: | 37 A |
| Maximum Operating Temperature: | +175 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 100 mOhms |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 838pF @ 1000V |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 1.2 kV |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 20V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 1.8 V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C | 37A (Tc) |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 30 |
| Пороговое напряжение на затворе | 3…5 |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 1200 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 200 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 80 мОм |