Моя заявка (0)

SiC N-Channel MOSFET, 28 A, 700 V, 4-Pin TO-247-4 MSC060SMA070B4

SiC N-Channel MOSFET, 28 A, 700 V, 4-Pin TO-247-4 MSC060SMA070B4

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8014587489
Артикул
MSC060SMA070B4
Бренд
Microchip Technology
Case
TO247-4
Mounting
THT
Pin Count
4
Technology
SiC
Цена по запросу
(от 2 150 ₽)
Минимальный заказ: 30 шт.

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Линейка силовыx МОП-транзисторов Microchip из карбида кремния от Micro semi повышает производительность по сравнению с кремниевыми МОП-транзисторами и кремниевыми IGBT-решениями, одновременно снижая общую стоимость владения для высоковольтныx приложений.

Технические параметры

CaseTO247-4
MountingTHT
Pin Count4
TechnologySiC
Вес, г1
Gate charge56nC
Channel TypeN
ManufacturerMICROCHIP(MICROSEMI)
Package TypeTO-247-4
Polarisationunipolar
Drain current28A
Mounting TypeThrough Hole
Kind of channelenhanced
УпаковкаBulk
Power dissipation143W
Type of transistorN-MOSFET
СтруктураN-Channel
On-state resistance75mΩ
Transistor MaterialSiC
Drain-source voltage700V
Pulsed drain current100A
ТехнологияSiC
Вид монтажаThrough Hole
Время спада7 ns
Особенностивысоковольтный
Тип продуктаMOSFET
КонфигурацияSingle
ПодкатегорияMOSFETs
Number of Elements per Chip1
Торговая маркаMicrochip Technology
Упаковка / блокTO-247-4
Maximum Drain Source Voltage700 V
Канальный режимEnhancement
Тип транзистора1 N-Channel
Qg - заряд затвора56 nC
Время нарастания7 ns
Maximum Continuous Drain Current28 A
Features of semiconductor devicesKelvin terminal
Категория продуктаМОП-транзистор
Количество каналов1 Channel
Полярность транзистораN-Channel
Pd - рассеивание мощности143 W
Id - непрерывный ток утечки39 A
Размер фабричной упаковки1
Vgs - напряжение затвор-исток10 V, + 23 V
Rds Вкл - сопротивление сток-исток75 mOhms
Vds - напряжение пробоя сток-исток700 V
Минимальная рабочая температура55 C
Максимальная рабочая температура+ 175 C
Типичное время задержки выключения26 ns
Типичное время задержки при включении18 ns
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток1.9 V
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В700
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А28
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт143
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В±20В

Техническая документация