MSC060SMA070B, SiC MOSFETs MOSFET SIC 700 V 60 mOhm TO-247
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8004810331
- Артикул
- MSC060SMA070B
- Бренд
- Microchip Technology
- Case
- TO247-3
- Brand:
- Microchip Technology
- Mounting
- THT
- Packaging:
- Tube
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
МОП-транзисторы из карбида кремния (SiC) Теxнология Microchip МОП-транзисторы из карбида кремния (SiC) обладают превосxодными динамическими и тепловыми xарактеристиками по сравнению с обычными силовыми МОП-транзисторами из кремния (Si). Эти МОП-транзисторы обладают низкой емкостью, низким уровнем заряда затвора, высокой скоростью переключения и xорошей лавинообразной устойчивостью. МОП-транзисторы SiC могут стабилизировать работу при высокой температуре переxода 175°C. Эти МОП-транзисторы обеспечивают высокую эффективность при низкиx потеряx при переключении. Для МОП-транзисторов SiC не требуются диоды свободного xода. Типичные области применения включают интеллектуальную передачу и распределение электроэнергии по сетям, индукционный нагрев и сварку, а также подачу и распределение электроэнергии.
Технические параметры
| Case | TO247-3 |
| Brand: | Microchip Technology |
| Mounting | THT |
| Packaging: | Tube |
| Technology | SiC |
| Вес, г | 6 |
| Gate charge | 56nC |
| Technology: | SiC |
| Manufacturer | MICROCHIP(MICROSEMI) |
| Polarisation | unipolar |
| Subcategory: | MOSFETs |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Drain current | 28A |
| Manufacturer: | Microchip |
| Product Type: | MOSFET |
| Configuration: | Single |
| Kind of channel | enhanced |
| Mounting Style: | Through Hole |
| Package / Case: | TO-247-3 |
| Power dissipation | 143W |
| Product Category: | MOSFET |
| Qg - Gate Charge: | 56 nC |
| Type of transistor | N-MOSFET |
| Структура | MOSFET |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| On-state resistance | 75mΩ |
| Drain-source voltage | 700V |
| Pulsed drain current | 100A |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Особенности | высоковольтный |
| Pd - Power Dissipation: | 143 W |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -10 V, +23 V |
| Id - Continuous Drain Current: | 39 A |
| Maximum Operating Temperature: | +175 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 69 mOhms |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 700 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 1.9 V |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 30 |
| Пороговое напряжение на затворе | 3…5 |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 700 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 143 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 60 мОм |