SiC N-Channel MOSFET, 46 A, 1200 V, 4-Pin TO-247-4 MSC040SMA120B4
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8014587487
- Артикул
- MSC040SMA120B4
- Бренд
- Microchip Technology
- Case
- TO247-4
- Brand:
- Microchip Technology
- Mounting
- THT
- Pin Count
- 4
Цена по запросу
(от 4 570 ₽)
Минимальный заказ: 30 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Линейка силовыx МОП-транзисторов Microchip из карбида кремния от Micro semi повышает производительность по сравнению с кремниевыми МОП-транзисторами и кремниевыми IGBT-решениями, одновременно снижая общую стоимость владения для высоковольтныx приложений.
Технические параметры
| Case | TO247-4 |
| Brand: | Microchip Technology |
| Mounting | THT |
| Pin Count | 4 |
| Packaging: | Tube |
| Technology | SiC |
| Вес, г | 1 |
| Gate charge | 137nC |
| Technology: | SiC |
| Channel Type | N |
| Manufacturer | MICROCHIP(MICROSEMI) |
| Package Type | TO-247-4 |
| Polarisation | unipolar |
| Subcategory: | MOSFETs |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Drain current | 46A |
| Manufacturer: | Microchip |
| Mounting Type | Through Hole |
| Product Type: | MOSFET |
| Kind of channel | enhanced |
| Mounting Style: | Through Hole |
| Package / Case: | TO-247-4 |
| Power dissipation | 323W |
| Product Category: | MOSFET |
| Qg - Gate Charge: | 137 nC |
| Type of transistor | N-MOSFET |
| Структура | N-Channel |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| On-state resistance | 50mΩ |
| Transistor Material | SiC |
| Drain-source voltage | 1.2kV |
| Pulsed drain current | 105A |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Особенности | высоковольтный |
| Pd - Power Dissipation: | 323 W |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -10 V, +23 V |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Maximum Drain Source Voltage | 1200 V |
| Id - Continuous Drain Current: | 66 A |
| Maximum Operating Temperature: | +175 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Maximum Continuous Drain Current | 46 A |
| Features of semiconductor devices | Kelvin terminal |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 40 mOhms |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 1.2 kV |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 2.6 V |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 30 |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 1200 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 46 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |