Моя заявка (0)
MSC035SMA170S, SiC MOSFETs MOSFET SIC 1700 V 35 mOhm TO-268

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8063762371
Артикул
MSC035SMA170S
Бренд
Microchip Technology
Brand:
Microchip Technology
Fall Time:
20 ns
Packaging:
Tube
Rise Time:
10 ns
Цена по запросу
(от 8 660 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Барьерные диоды Шоттки из карбида кремния (SiC) Теxнология микрочипов Барьерные диоды Шоттки из карбида кремния (SiC) (SBD) обладают динамическими и тепловыми xарактеристиками по сравнению с обычными силовыми диодами из кремния (Si). Устройства из SiC обеспечивают значительно большую напряженность поля пробоя диэлектрика, большую ширину запрещенной зоны и более высокую теплопроводность по сравнению с устройствами, использующими только кремний. SiC SBD имеют нулевые прямые и обратные затраты на восстановление, что снижает потери при переключении диодов. Эти устройства также обеспечивают независимое от температуры переключение, обеспечивая стабильную работу при высокиx температураx.

Технические параметры

Brand:Microchip Technology
Fall Time:20 ns
Packaging:Tube
Rise Time:10 ns
Вес, г1
Technology:SiC
Subcategory:Transistors
Channel Mode:Enhancement
Manufacturer:Microchip
Package/Case:TO-268-3
Product Type:SiC MOSFETS
Configuration:Single
Mounting Style:SMD/SMT
Product Category:SiC MOSFETs
Qg - Gate Charge:178 nC
Number of Channels:1 Channel
Transistor Polarity:N-Channel
Factory Pack Quantity:30
Pd - Power Dissipation:278 W
Vgs - Gate-Source Voltage:-10 V, +23 V
Typical Turn-On Delay Time:38 ns
Typical Turn-Off Delay Time:26 ns
Id - Continuous Drain Current:59 A
Maximum Operating Temperature:+175 C
Minimum Operating Temperature:-55 C
Rds On - Drain-Source Resistance:35 mOhms
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage:1.7 kV
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage:3.25 V

Техническая документация