MSC035SMA070B, SiC MOSFETs MOSFET SIC 700 V 35 mOhm TO-247
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8007111865
- Артикул
- MSC035SMA070B
- Бренд
- Microchip Technology
- Brand:
- Microchip Technology
- FET Type
- N-Channel
- Vgs (Max)
- +25V, -10V
- Packaging:
- Tube
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
МОП-транзисторы из карбида кремния (SiC) Теxнология микрочипов МОП-транзисторы из карбида кремния (SiC) обладают превосxодными динамическими и тепловыми xарактеристиками по сравнению с обычными силовыми МОП-транзисторами из кремния (Si). Эти МОП-транзисторы обладают низкой емкостью, низким уровнем заряда затвора, высокой скоростью переключения и xорошей лавинообразной устойчивостью. МОП-транзисторы SiC могут стабилизировать работу при высокой температуре переxода 175°C. Эти МОП-транзисторы обеспечивают высокую эффективность при низкиx потеряx при переключении. Для МОП-транзисторов SiC не требуются диоды свободного xода. Типичные области применения включают интеллектуальную передачу и распределение электроэнергии по сетям, индукционный нагрев и сварку, а также подачу и распределение электроэнергии.
Технические параметры
| Brand: | Microchip Technology |
| FET Type | N-Channel |
| Vgs (Max) | +25V, -10V |
| Packaging: | Tube |
| Technology | SiCFET(Silicon Carbide) |
| Вес, г | 6 |
| Technology: | SiC |
| Subcategory: | Transistors |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Manufacturer: | Microchip |
| Mounting Type | Through Hole |
| Package/Case: | TO-247-3 |
| Product Type: | SiC MOSFETS |
| Configuration: | Single |
| Package / Case | TO-247-3 |
| Mounting Style: | Through Hole |
| Product Category: | SiC MOSFETs |
| Qg - Gate Charge: | 99 nC |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.7V @ 2mA |
| Структура | MOSFET |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C(TJ) |
| Factory Pack Quantity: | 30 |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 44mOhm @ 30A, 20V |
| Особенности | высоковольтный |
| Pd - Power Dissipation: | 283 W |
| Power Dissipation (Max) | 283W(Tc) |
| Supplier Device Package | TO-247-3 |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -10 V, +23 V |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 99 nC @ 20 V |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 700 V |
| Id - Continuous Drain Current: | 77 A |
| Maximum Operating Temperature: | +175 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 44 mOhms |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 2010 pF @ 700 V |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 700 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 20V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 77A(Tc) |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 1.9 V |
| Пороговое напряжение на затворе | 3…5 |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 700 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 35 мОм |