MSC025SMA120B4, SiC MOSFETs MOSFET SIC 1200 V 25 mOhm TO-247-4
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8004581686
- Артикул
- MSC025SMA120B4
- Бренд
- Microchip Technology
- Pin Count
- 4
- Вес, г
- 1
- Channel Type
- N
- Package Type
- TO-247-4
Цена по запросу
(от 6 940 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
МОП-транзистор МОП-транзистор SIC 1200 V 25 mOhm TO-247-4
Технические параметры
| Pin Count | 4 |
| Вес, г | 1 |
| Channel Type | N |
| Package Type | TO-247-4 |
| Mounting Type | Through Hole |
| Упаковка | Bulk |
| Структура | N-Channel |
| Transistor Material | SiC |
| Технология | SiC |
| Вид монтажа | Through Hole |
| Время спада | 10 ns |
| Особенности | высоковольтный |
| Тип продукта | MOSFET |
| Конфигурация | Single |
| Подкатегория | MOSFETs |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Торговая марка | Microchip/Microsemi |
| Упаковка / блок | TO-247-4 |
| Maximum Drain Source Voltage | 1200 V |
| Канальный режим | Enhancement |
| Тип транзистора | 1 N-Channel |
| Qg - заряд затвора | 232 nC |
| Время нарастания | 35 ns |
| Maximum Continuous Drain Current | 73 A |
| Категория продукта | МОП-транзистор |
| Количество каналов | 1 Channel |
| Полярность транзистора | N-Channel |
| Pd - рассеивание мощности | 500 W |
| Id - непрерывный ток утечки | 103 A |
| Размер фабричной упаковки | 1 |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 10 V, + 23 V |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 31 mOhms |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 1.2 kV |
| Пороговое напряжение на затворе | -8 V, +19 V |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Максимальная рабочая температура | +175 C |
| Типичное время задержки выключения | 35 ns |
| Типичное время задержки при включении | 18 ns |
| Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 1.8 V |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 1200 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 500 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | 10 V, +23 V |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 31 mOhms |