SiC N-Channel MOSFET, 73 A, 1200 V TO-247 MSC025SMA120B
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8014587486
- Артикул
- MSC025SMA120B
- Бренд
- Microchip Technology
- Case
- TO247-3
- ECCN
- EAR99
- HTSUS
- 8541.29.0095
- Package
- Tube
Цена по запросу
(от 10 107,70 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Линейка силовыx МОП-транзисторов Microchip из карбида кремния от Micro semi повышает производительность по сравнению с кремниевыми МОП-транзисторами и кремниевыми IGBT-решениями, одновременно снижая общую стоимость владения для высоковольтныx приложений.
Технические параметры
| Case | TO247-3 |
| ECCN | EAR99 |
| HTSUS | 8541.29.0095 |
| Package | Tube |
| FET Type | N-Channel |
| Mounting | THT |
| Vgs (Max) | +25V, -10V |
| Technology | SiCFET (Silicon Carbide) |
| Вес, г | 1 |
| Gate charge | 232nC |
| RoHS Status | RoHS Compliant |
| Channel Type | N |
| Manufacturer | MICROCHIP(MICROSEMI) |
| Package Type | TO-247 |
| Polarisation | unipolar |
| Drain current | 73A |
| Mounting Type | Through Hole |
| Package / Case | TO-247-3 |
| Kind of channel | enhanced |
| Power dissipation | 500W |
| Type of transistor | N-MOSFET |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.8V @ 1mA |
| Структура | N-Channel |
| Base Product Number | MSC025 -> |
| On-state resistance | 31mΩ |
| Transistor Material | SiC |
| Drain-source voltage | 1.2kV |
| Pulsed drain current | 275A |
| Operating Temperature | -55В°C ~ 175В°C (TJ) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 31mOhm @ 40A, 20V |
| Особенности | высоковольтный |
| Power Dissipation (Max) | 500W (Tc) |
| Supplier Device Package | TO-247-3 |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 232nC @ 20V |
| Maximum Drain Source Voltage | 1200 V |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 1.2kV |
| Maximum Continuous Drain Current | 73 A |
| Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 3020pF @ 1000V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 20V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C | 103A (Tc) |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 1200 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 73 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 500 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |