MSC017SMA120S, MOSFET Modules MOSFET SIC 1200 V 17 mOhm TO-268
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8018897703
- Артикул
- MSC017SMA120S
- Бренд
- Microchip Technology
- Brand:
- Microchip Technology
- Fall Time:
- 21 ns
- Packaging:
- Tube
- Rise Time:
- 16 ns
Цена по запросу
(от 7 990 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
MSC017SMA120x Силовые МОП-транзисторы на основе карбида кремния N-Ch Силовые МОП-транзисторы Microchip Technology MSC017SMA120x из карбида кремния N-Ch повышают производительность по сравнению с кремниевыми МОП-транзисторами и кремниевыми IGBT-решениями при одновременном снижении общей стоимости в высоковольтныx приложенияx. МОП-транзисторы Microchip MSC017SMA120x SiC обеспечивают высокую эффективность, что позволяет создать более легкую и компактную систему с улучшенными тепловыми xарактеристиками и меньшими потерями при переключении.
Технические параметры
| Brand: | Microchip Technology |
| Fall Time: | 21 ns |
| Packaging: | Tube |
| Rise Time: | 16 ns |
| Вес, г | 105.7 |
| Technology: | SiC |
| Subcategory: | MOSFETs |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Manufacturer: | Microchip |
| Product Type: | MOSFET |
| Configuration: | Single |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Package / Case: | TO-268-3 |
| Product Category: | MOSFET |
| Qg - Gate Charge: | 249 nC |
| Структура | MOSFET |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Особенности | высоковольтный |
| Pd - Power Dissipation: | 357 W |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -10 V, +23 V |
| Typical Turn-On Delay Time: | 52 ns |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 49 ns |
| Id - Continuous Drain Current: | 100 A |
| Maximum Operating Temperature: | +175 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 17.6 mOhms |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 1.2 kV |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 2.7 V |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 1 |
| Пороговое напряжение на затворе | -10 V, +23 V |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 1200 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 17.6 mOhms |