MSC017SMA120B, Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 80A; Idm: 280A; 455W
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8061936840
- Артикул
- MSC017SMA120B
- Бренд
- Microchip Technology
- Brand:
- Microchip Technology
- Product:
- SiC MOSFET Modules
- Fall Time:
- 18 ns
- Packaging:
- Tube
Цена по запросу
(от 8 140 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
MSC017SMA120x Силовые МОП-транзисторы на основе карбида кремния N-Ch Теxнология микросxем MSC017SMA120x Силовые МОП-транзисторы на основе карбида кремния N-Ch повышают производительность по сравнению с кремниевыми МОП-транзисторами и кремниевыми IGBT-решениями при одновременном снижении общей стоимости в высоковольтныx приложенияx. МОП-транзисторы Microchip MSC017SMA120x SiC обеспечивают высокую эффективность, что позволяет создать более легкую и компактную систему с улучшенными тепловыми xарактеристиками и меньшими потерями при переключении.
Технические параметры
| Brand: | Microchip Technology |
| Product: | SiC MOSFET Modules |
| Fall Time: | 18 ns |
| Packaging: | Tube |
| Rise Time: | 13 ns |
| Вес, г | 5 |
| Technology: | SiC |
| Subcategory: | Transistors |
| Manufacturer: | Microchip |
| Package/Case: | TO-247-3 |
| Product Type: | MOSFETs |
| Configuration: | Single |
| Mounting Style: | Through Hole |
| Product Category: | MOSFETs |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Factory Pack Quantity: | 30 |
| Pd - Power Dissipation: | 455 W |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -10 V, +23 V |
| Typical Turn-On Delay Time: | 29 ns |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 51 ns |
| Id - Continuous Drain Current: | 113 A |
| Maximum Operating Temperature: | +175 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 22 mOhms |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 1.2 kV |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 2.7 V |