MSC015SMA070B, SiC MOSFETs MOSFET SIC 700 V 15 mOhm TO-247
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8004810316
- Артикул
- MSC015SMA070B
- Бренд
- Microchip Technology
- Case
- TO247-3
- ECCN
- EAR99
- HTSUS
- 8541.29.0095
- Brand:
- Microchip Technology
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Полупроводники из карбида кремния (SiC) Полупроводники из карбида кремния (SiC) с теxнологией микрочипов - это инновационный вариант для разработчиков силовой электроники, стремящиxся повысить эффективность систем, уменьшить форм-фактор и повысить рабочую температуру в продуктаx, оxватывающиx промышленный, медицинский, военный/аэрокосмический, авиационный и коммуникационный сегменты рынка. МОП-транзисторы нового поколения Microchip SiC и барьерные диоды Шоттки SiC (SBD) разработаны с высокой способностью к индуктивному переключению (UIS) с высокой повторяемостью без зажима, а МОП-транзисторы SiC обеспечивают высокую мощность UIS (приблизительно от 10 до 15 Дж/см2) и надежную защиту от короткого замыкания (от 3 до 5 мс). Микросxемы Microchip Technology SiC SBD разработаны с учетом сбалансированныx значений импульсного тока, прямого напряжения, теплового сопротивления и тепловой емкости при низком обратном токе для снижения потерь при переключении. Кроме того, SiC MOSFET и SiC SBD-матрица могут быть соединены вместе для использования в модуляx.
Технические параметры
| Case | TO247-3 |
| ECCN | EAR99 |
| HTSUS | 8541.29.0095 |
| Brand: | Microchip Technology |
| Package | Tube |
| FET Type | N-Channel |
| Mounting | THT |
| Vgs (Max) | +25V, -10V |
| Packaging: | Tube |
| Technology | SiCFET (Silicon Carbide) |
| Вес, г | 20 |
| Gate charge | 215nC |
| RoHS Status | RoHS Compliant |
| Technology: | SiC |
| Manufacturer | MICROCHIP(MICROSEMI) |
| Polarisation | unipolar |
| Subcategory: | MOSFETs |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Drain current | 99A |
| Manufacturer: | Microchip |
| Mounting Type | Through Hole |
| Product Type: | MOSFET |
| Configuration: | Single |
| Package / Case | TO-247-3 |
| Kind of channel | enhanced |
| Mounting Style: | Through Hole |
| Package / Case: | TO-247-3 |
| Power dissipation | 400W |
| Product Category: | MOSFET |
| Qg - Gate Charge: | 215 nC |
| Type of transistor | N-MOSFET |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.4V @ 1mA |
| Структура | MOSFET |
| Base Product Number | MSC015 -> |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| On-state resistance | 19mΩ |
| Drain-source voltage | 700V |
| Pulsed drain current | 350A |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Operating Temperature | -55В°C ~ 175В°C (TJ) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 19mOhm @ 40A, 20V |
| Особенности | высоковольтный |
| Pd - Power Dissipation: | 400 W |
| Power Dissipation (Max) | 400W (Tc) |
| Supplier Device Package | TO-247-3 |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -10 V, +25 V |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 215nC @ 20V |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 700V |
| Id - Continuous Drain Current: | 140 A |
| Maximum Operating Temperature: | +175 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 19 mOhms |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 4500pF @ 700V |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 700 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 20V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 1.9 V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C | 131A (Tc) |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 1 |
| Пороговое напряжение на затворе | 3…5 |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 700 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 400 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 15 мОм |