MSA1162GT1G, Bipolar (BJT) Single Transistor, PNP, 50 V, 100 mA, 200 mW, SC-59, Surface Mount
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8670067247
- Артикул
- MSA1162GT1G
- Бренд
- ON Semiconductor***
- HTS
- 8541.21.00.95
- Type
- PNP
- EU RoHS
- Compliant
- Military
- No
Цена по запросу
(от 15 ₽)
Минимальный заказ: 5 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Биполярные транзисторы - BJT 100mA 60V PNP
Технические параметры
| HTS | 8541.21.00.95 |
| Type | PNP |
| EU RoHS | Compliant |
| Military | No |
| Mounting | Surface Mount |
| ECCN (US) | EAR99 |
| Packaging | Tape and Reel |
| Pin Count | 3 |
| Automotive | No |
| Вес, г | 0.07 |
| Длина | 2.9 mm |
| Серия | MSA1162 |
| PCB changed | 3 |
| Part Status | Active |
| Высота | 1.09 mm |
| Ширина | 1.5 mm |
| Configuration | Single |
| Package Width | 1.5 |
| Package Height | 1.09 |
| Package Length | 2.9 |
| Product Category | Bipolar Small Signal |
| Supplier Package | SC-59 |
| Структура | pnp |
| Технология | Si |
| Standard Package Name | SC |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Minimum DC Current Gain | 200@2mA@6V |
| Тип продукта | BJTs - Bipolar Transistors |
| Конфигурация | Single |
| Подкатегория | Transistors |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Торговая марка | ON Semiconductor |
| Упаковка / блок | SC-59-3 |
| Maximum Power Dissipation (mW) | 200 |
| Maximum DC Collector Current (A) | 0.1 |
| Maximum Emitter Base Voltage (V) | 7 |
| Maximum Collector Base Voltage (V) | 60 |
| Maximum Transition Frequency (MHz) | 80(Min) |
| Maximum Operating Temperature (°C) | 150 |
| Minimum Operating Temperature (°C) | -55 |
| Категория продукта | Биполярные транзисторы - BJT |
| Maximum Collector-Emitter Voltage (V) | 50 |
| Полярность транзистора | PNP |
| Pd - рассеивание мощности | 200 mW |
| Maximum Collector-Emitter Saturation Voltage (V) | 0.5@10mA@100mA |
| Размер фабричной упаковки | 3000 |
| Напряжение эмиттер-база (VEBO) | 7 V |
| Непрерывный коллекторный ток | 0.1 uA |
| Напряжение коллектор-база (VCBO) | 60 V |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А) | 100 mA |
| Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 50 V |
| Максимальный постоянный ток коллектора | 0.1 A |
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 0.5 V |
| Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe) | 200 |
| Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В | 50 |
| Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT) | 80 MHz |