Моя заявка (0)
нет фото

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8015844690
Артикул
MS8N100FT
Бренд
Shenzhen Maspower Semiconductor Co., Ltd.
Вес, г
2.82
Корпус
TO-220
Структура
MOSFET
Power Dissipation (Pd)
167W
Цена по запросу
(от 182 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Технические параметры

Вес, г2.82
КорпусTO-220
СтруктураMOSFET
Power Dissipation (Pd)167W
Особенностивысоковольтный
Total Gate Charge (Qg@Vgs)14nC
Input Capacitance (Ciss@Vds)1.32nF
Continuous Drain Current (Id)8A
Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds)9pF
Пороговое напряжение на затворе5V@250μA
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В1000
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А8
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт167
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В±20В
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on)1.8Ω@10V, 4A