MS5N100, 1000V 5A TO-3PH MOSFETs
нет фото
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8015907002
- Артикул
- MS5N100
- Бренд
- Shenzhen Maspower Semiconductor Co., Ltd.
- Type
- null
- Вес, г
- 7.3
- Структура
- MOSFET
- Operating Temperature
- -55℃~+175℃
Цена по запросу
(от 171 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Технические параметры
| Type | null |
| Вес, г | 7.3 |
| Структура | MOSFET |
| Operating Temperature | -55℃~+175℃ |
| Power Dissipation (Pd) | 56W |
| Особенности | высоковольтный |
| Total Gate Charge (Qg@Vgs) | 42nC |
| Drain Source Voltage (Vdss) | 1kV |
| Input Capacitance (Ciss@Vds) | 1.154nF |
| Continuous Drain Current (Id) | 5A |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id) | 4.5V@100μA |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds) | 21.3pF |
| Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id) | 3.5Ω@10V, 1.75A |
| Пороговое напряжение на затворе | 4.5V@100μA |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 1000 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 5 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 125 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 3.5Ω@10V, 1.75A |