Моя заявка (0)
нет фото

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8015919969
Артикул
MS4N1350B
Бренд
Shenzhen Maspower Semiconductor Co., Ltd.
Вес, г
6.87
Структура
MOSFET
Power Dissipation (Pd)
140W
Особенности
высоковольтный
Цена по запросу
(от 360 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Технические параметры

Вес, г6.87
СтруктураMOSFET
Power Dissipation (Pd)140W
Особенностивысоковольтный
Total Gate Charge (Qg@Vgs)44nC
Input Capacitance (Ciss@Vds)1.408nF
Continuous Drain Current (Id)4A
Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds)19.8pF
Пороговое напряжение на затворе6V@250μA
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В1500
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А4
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт140
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В±20В
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on)5.8Ω@10V, 1.3A